參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1760F5Q
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 50V五(巴西)總裁| 3A條一(c)|至252
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大小: 123K
代理商: 2SD1760F5Q
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1760F5R TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252
2SD1760TLP TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SC-63
2SD1760TLQ TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SC-63
2SD1760TLR TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SC-63
2SD1766P TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1760FRATLR 制造商:ROHM SEMICONDUCTOR 功能描述:HIGH REL TRANS GP BJT NPN 50V 3A TR
2SD1760TL/Q 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1760TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1760TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN;DRIVER SMT HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1760TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2