參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1760F5R
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 3A條一（c）|至252
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 123K
代理商： 2SD1760F5R
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1760TLP TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SC-63
2SD1760TLQ TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SC-63
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參數(shù)描述
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2SD1760TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN;DRIVER SMT HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1760TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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