參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1733
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor (80V, 1A)
中文描述： 功率晶體管（80V的，1A）條
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： 2SD1733
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 / 2SD1381F
Transistors
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
100
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
80
V
Emitter-base voltage
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
1
A (DC)
A (Pulse)
1
2
Junction temperature
Tj
150
C
Storage temperature
1 Pw=20ms, duty=1 / 2
2 Printed circuit board 1.7mm thick, collector copper plating 1cm
2
or larger.
3 When mounted on a 40
×
40
×
0.7mm ceramic board.
Tstg
55
～+
150
C
Collector power
dissipation
P
C
0.5
2
2
1
3
10
0.3
1
1.2
W
W (Tc=25C)
W
W (Tc=25C)
5
2SD1898
2SD1733
2SD1768S
2SD1863
2SD1381F
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
*
Measured using pulse current
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
100
80
5
180
2SD1863
2SD1733, 2SD1898
2SD1768S
2SD1381F
0.15
100
20
1
1
0.4
390
V
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
80V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
500mA/20mA
V
CE
=
10V, I
E
=
50mA, f
=
100MHz
V
CE
=
3V, I
C
=
0.5A
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
V
V
μ
A
μ
A
V
82
390
120
390
82
270
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1381F Power Transistor (80V, 1A)
2SD1863 Power Transistor (80V, 1A)
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參數(shù)描述
2SD1733TL 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1733TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1733TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1733TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1739 制造商:. 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR 制造商:MATSU 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR 制造商:Matsushita Electric 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR
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