- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370087 > 2SD1604 (Hitachi,Ltd.) Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1604 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | 2SD1604 |
2SD1603, 2SD1604
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1103 and 2SB1104
Outline
TO-220AB
2.6 k
(Typ)
100
(Typ)
1
2
3
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
123
I
D
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Ratings
Item
Symbol
2SD1603
2SD1604
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
Tj
60
80
V
Collector to emitter voltage
60
80
V
Emitter to base voltage
7
7
V
Collector current
8
8
A
Collector peak current
12
12
A
Collector power dissipation
1
40
40
W
Junction temperature
150
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
–55 to +150
°C
C to E diode forward current
Note:
1. Value at T
C
= 25°C.
I
D
*
1
8
8
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1605 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 2SD1606 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 2SD1614 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
| 2SD1615 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD |
| 2SD1615A | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD161 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 120V 10A 100W BEC |
| 2SD1614-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 20V 2A 4-Pin(3+Tab) Power Mini-Mold T/R |
| 2SD1614-T1-AZ(XK) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
| 2SD1614-T1-AZ(XL) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN |
| 2SD1615A-GP-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bipolar Power Power Mini-Mold Tape & Reel 制造商:Renesas 功能描述:0 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。