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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1209 |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
| 中文描述： | npn型硅外延，達(dá)林頓 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | 2SD1209 |
2SD1209(K)
4
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
0.5
0.2
10
0.5
1.0
0.2
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
C
C
Typical Transfer Characteristics
2
5
10
V
= 3 V
Ta = 25
°
C
Pulse
1.0
0.5
0.2
0.01
0.1
5
2
10
0.02
0.05
Collector Current I
C
(A)
C
C
Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Collector Current
0.2
0.1
0.5
1.0
I
= 1000 I
B
Pulse
Ta = –25
°
C
25
75
1.0
2
5
0.5
0.2
0.01
0.1
10
0.02
0.05
Collector Current I
C
(A)
B
B
Base to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
0.2
0.1
0.5
1.0
Ta = –25
°
C
25
75
I
= 1000 I
B
Pulse
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