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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1209 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial, Darlington |
| 中文描述： | npn型硅外延，達(dá)林頓 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | 2SD1209 |
2SD1209(K)
3
0
0.4
0.8
1.2
50
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
C
Maximum Collector Dissipation Curve
100
150
1.0
1.0
0.5
0.2
0.1
5
2
10
5
2
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
Area of Safe Operation
10
20
50
100
Ta = 25
°
C
1 Shot Pulse
i
C(peak)
PW=1m
1 s
0.2
0.1
0
0.4
0.3
0.5
2
1
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
Typical Output Characteristics
3
4
5
Ta = 25
°
C
Pulse
I
B
= 0
2
μ
A
4
6
8
10
12
14
16
0.01
10
5
10
4
10
3
0.05
0.02
Collector Current I
C
(A)
D
F
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
0.1
0.2
0.5
1.0
V
= 3 V
Pulse
Ta = –25
°
C
25
75
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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