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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1134 |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | 2SD1134 |
2SD1133, 2SD1134
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
2SD1133
2SD1134
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base
breakdown voltage
V
(BR)CBO
70
—
—
70
—
—
V
I
C
= 10 μA, I
E
= 0
Collector to emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
50
—
—
60
—
—
V
I
C
= 50 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base
breakdown voltage
V
(BR)EBO
5
—
—
5
—
—
V
I
E
= 10 μA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
—
1
—
—
1
μA
V
CB
= 50 V, I
E
= 0
V
CE
= 4V I
C
= 1 A*
DC current transfer ratio h
FE1
*
1
60
—
320
60
—
320
2
h
FE2
V
CE(sat)
35
—
—
35
—
—
I
C
= 0.1 A*
2
Collector to emitter
saturation voltage
—
—
1
—
—
1
V
I
C
= 2 A, I
B
= 0.2 A*
2
Base to emitter voltage
V
BE
f
T
—
—
1
—
—
1
V
V
CE
= 4 V, I
C
= 1 A*
V
CE
= 4 V, I
C
= 0.5 A*
2
Gain bandwidth product
Notes: 1. The 2SD1133 and 2SD1134 are grouped by h
FE1
as follows.
2. Pulse test.
—
7
—
—
7
—
MHz
2
B
C
D
60 to 120
100 to 200
160 to 320
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1135 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 2SD1136 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 2SD1137 | Silicon NPN Triple Diffused |
| 2SD1137 | Power Bipolar Transistors |
| 2SD1138 | Silicon NPN Triple Diffused |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1134B | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SD1134C | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SD1134-C(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SD1134D | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SD1134K | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused |
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