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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1135 |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | 2SD1135 |
2SD1135
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB859
Outline
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
TO-220AB
123
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
Tj
100
V
Collector to emitter voltage
80
V
Emitter to base voltage
5
V
Collector current
4
A
Collector peak current
8
A
Collector power dissipation
1
40
W
Junction temperature
150
°C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25°C.
Tstg
–45 to +150
°C
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PDF描述 |
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