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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1135 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | 2SD1135 |
2SD1135
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
I
C
= 50 mA, R
BE
=
∞
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
80
—
—
V
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
5
—
—
V
I
E
= 10 μA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
h
FE1
*
h
FE2
V
BE
V
CE(sat)
—
—
0.1
mA
V
CB
= 80 V, I
E
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 1 A*
V
CE
= 5 V, I
C
= 0.1 A*
V
CE
= 5 V, I
C
= 1 A*
I
C
= 2 A, I
B
= 0.2 A*
DC current transfer ratio
1
60
—
200
2
35
—
—
2
Base to emitter voltage
—
—
1.5
V
2
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
2
V
2
Gain bandwidth product
f
T
Cob
—
10
—
MHz
V
CE
= 5 V, I
C
= 0.5 A*
V
CB
= 20 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
2
Collector output capacitance
Notes: 1. The 2SD1135 is grouped by h
FE1
as follows.
2. Pulse test.
—
40
—
pF
B
C
60 to 120
100 to 200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1136 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
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| 2SD1138 | Silicon NPN Triple Diffused |
| 2SD1138 | Power Bipolar Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1135B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SD1135C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
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