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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1134 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重擴散（三倍擴散npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | 2SD1134 |
2SD1133, 2SD1134
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB857 and 2SB858
Outline
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
TO-220AB
123
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Ratings
Item
Symbol
2SD1133
2SD1134
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
Tj
70
70
V
Collector to emitter voltage
50
60
V
Emitter to base voltage
5
5
V
Collector current
4
4
A
Collector peak current
8
8
A
Collector power dissipation
1
40
40
W
Junction temperature
150
150
°C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25°C.
Tstg
–45 to +150
–45 to +150
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1135 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 2SD1136 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 2SD1137 | Silicon NPN Triple Diffused |
| 2SD1137 | Power Bipolar Transistors |
| 2SD1138 | Silicon NPN Triple Diffused |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1134B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SD1134C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SD1134-C(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SD1134D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SD1134K | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused |
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