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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1133 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重?cái)U(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | 2SD1133 |
2SD1133, 2SD1134
4
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
10 mA
20
30
40
50
60
70
80
90
5
4
3
2
1
0
2
C
C
4
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
8
6
10
Typical Output Characteristics
5
2
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
0.6
1.0
0.2
0.8
1.4
1.2
C
C
Base to emitter voltage V
BE
(V)
0.4
T
C
°
C
–
°
C
2
°
C
V
CE
= 4 V
Typical Transfer Characteristics
1,000
500
200
100
50
20
5
0.01 0.02
10
D
F
0.05
Collector current I
C
(A)
2
0.1
0.5
5
0.2
1.0
V
CE
= 4 V
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
T
C
= 75
°
C
25
–25
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01 0.02
0.2
1.0
0.05 0.1
Collector current I
C
(A)
0.5
2
5
Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
C
C
I
C
= 10 I
B
T
C
= 75
°
C
25
–25
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SD1134 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1133B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SD1133C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SD1133D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SD1133K | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused |
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