參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC6034
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused Type
中文描述： 硅npn型三重?cái)U(kuò)散型
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 187K
代理商： 2SC6034
2SC6034
2006-11-13
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
= 600 V, I
E
= 0
―
―
100
μ
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= 8 V, I
C
= 0
―
―
100
μ
A
Collector-base breakdown voltage
V
(BR) CBO
I
C
= 1 mA, I
B
= 0
600
―
―
V
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR) CEO
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
285
―
―
V
h
FE (1)
V
CE
= 5 V, I
C
= 1 mA
100
―
250
h
FE (2)
V
CE
= 5 V, I
C
= 0.1 A
125
―
250
DC current gain
h
FE (3)
V
CE
= 5 V, I
C
= 0.2 A
80
―
―
Collector emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
= 0.6 A, I
B
= 75 mA
―
―
1.0
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE (sat)
I
C
= 0.6 A, I
B
= 75 mA
―
―
1.3
V
Rise time
t
r
―
―
0.4
Storage time
t
stg
―
―
3.5
Switching time
Fall time
t
f
I
B
I
B1
= 20 mA,
I
B2
= 50 mA
DUTY CYCLE
≤
1%
―
―
0.24
μ
s
Marking
20
μ
s
V
CC
≈
200 V
INPUT
OUT-
PUT
6
I
B21
I
B1
I
B2
I
C
C6034
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Part No. (or abbreviation code)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC6036 Silicon NPN epitaxial planar type
2SC6040 High-Speed and High-Voltage Switching Applications Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications
2SC6042 Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC605 NPN SILICON TRANSISTOR
2SC606 NPN SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC6034(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 285V 1A 3-Pin MSTM
2SC6034(TPF2,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transitor,BIP Tr.,Vceo=300V,Ic=1A,MSTM
2SC6036 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
2SC603600L 功能描述:TRANS NPN 12VCEO 500MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC6036G0L 功能描述:TRANS NPN 12VCEO 500MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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