參數(shù)資料
型號： 2SC5948
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Variable Capacitance Diode for TV Tuner UHF Tuning; Ratings VR (V): 15; Characteristics n: 6.0 min; Characteristics rs (ohm) max: 0.6; Characteristics C (pF) max: C1 = 13.0 to 16.0 C10 = 2.0 to 2.3; Characteristics CVR/CVR: 1/10; Cl: 2.15; Package: URP
中文描述： 硅npn型三重擴散型功率放大器應(yīng)用
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 159K
代理商： 2SC5948
2SC5948
2006-11-16
3
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
BE
Collector current I
C
(A)
h
FE
– I
C
D
F
Base-emitter voltage V
BE
(V)
C
C
0.8
1.2
1.6
2.0
9
6
3
0
0.4
0
100
10
0.1
1
1
0.01
1000
10
Common emitter
VCE = 5 V
Tc = 100°C
25
25
10
6
4
2
0
8
4
6
8
2
0
10
12
12
14
12
100
Collector current I
C
(A)
V
CE
(sat)
– I
C
C
e
V
C
0.01
1
0.01
0.001
1
100
0.1
0.1
10
B
e
V
B
Collector current I
C
(A)
V
BE
(sat)
– I
C
10
0.01
0.01
0.1
1
100
1
10
0.1
T
f
T
(
Z
)
Collector current I
C
(A)
f
T
– I
C
100
0.01
0.1
0.1
1
10
10
Common emitter
VCE = 5 V
Tc = 25°C
1
IB = 20mA
Common emitter
Tc = 25°C
60
80
100
140
200
300
40
Common emitter
VCE = 5 V
Tc = 100°C
25
25
Tc =
25°C
Common emitter
IC / IB = 10
25
100
Tc =
25°C
Common emitter
IC / IB = 10
25
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5949 Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC5975 SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER / OSCILLATOR
2SC5976 Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5980 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications
2SC5993 For power amplification For TV VM circuit
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5948-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-R(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC59540Q 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 3A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*