參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5778
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications
中文描述: 超高清晰度CRT顯示器水平偏轉(zhuǎn)輸出應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 30K
代理商: 2SC5778
2SC5778
No.6992-2/4
0
0
2
IC -- VCE
IT03523
IT03525
IT03524
IT03526
6
4
14
12
10
8
1
2
5
6
3
4
7
8
9
10
0
0
IC -- VBE
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
1.2
8
6
16
14
12
10
4
2
1.0
hFE -- IC
2
3
5
7
2
2
3
5
7
0.1
1.0
10
10
2
3
5
100
7
2
3
5
7
0.1
VCE(sat) -- IC
2
3
5
7
2
2
3
5
7
1.0
10
3
10
0.1
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
5
7
IB=0
0.1A
0.2A
0.4A
0.6A
0.8A
1.2A
1.0A
1.6A
2.0A
1.8A
1.4A
T=2
°
C
2
°
C
-
°
C
Ta=120
°
C
25
°
C
-40
°
C
Ta= --40
°
C
T-
°
C
120
°
C
25
°
C
2
°
C
VCE=5V
VCE=5V
IC / IB=5
1
°
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
Collector Current, IC -- A
D
Collector Current, IC -- A
C
S
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
DC Current Gain
hFE1
hFE2
VCE(sat)
VBE(sat)
tstg
tf
VF
VCE=5V, IC=1A
VCE=5V, IC=11A
IC=10A, IB=2.5A
IC=10A, IB=2.5A
IC=7A, IB1=0.9A, IB2=--3.5A
IC=7A, IB1=0.9A, IB2=--3.5A
IEC=12A
8
4
7
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Storage Time
Fall Time
Diode Forward Voltage
3.0
1.5
3.0
0.2
2.2
V
V
μ
s
μ
s
V
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --2V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=28.6
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
1%
IB1
IB2
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PDF描述
2SC5779 Silicon NPN epitaxial planar type
2SC5784 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5785 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
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2SC5791 IC - FLASH, 128 MBIT (8M X 16/4M X 32), 3.3V, 80 F
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參數(shù)描述
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2SC57880QA 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR