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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5651 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, M23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 19K |
| 代理商： | 2SC5651 |
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
VCBO
Collector to Base Voltage
V
9
VCEO
Collector to Emitter Voltage
V
6
VEBO
Emitter to Base Voltage
V
2
IC
Collector Current
mA
100
PT
Total Power Dissipation
mW
TBD
TJ
Junction Temperature
°C
150
TSTG
Storage Temperature
°C
-65 to +150
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 (TA = 25°C)
NE688M23
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR
RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only)
Internet: http://WWW.CEL.COM
02/10/2000
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
Collector Current, IC (mA)
DC
Current
Gain,
h
FE
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector
Current,
I
C
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Base to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector
Current,
I
C
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
Collector Current, IC (mA)
Noise
Figure,
NF
(dB)
NOISE FIGURE/ASSOCIATED GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Gain
Bandwidth
Product,
f
T
(GHz)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
VCE = 2 V
120
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20
40
60
80
100
VCE = 2 V
1000
100
10
1
0.1
0.01
10
100
GA
NF
VCE = 3 V
f = 1 GHz
10
8
6
4
2
0
100
10
1
0
2
4
6
8
100
450
A
8
6
4
2
0
20
60
80
40
IB = 50
A
150
A
250
A
350
A
IB 50
A step
VCE= 3 V
f = 2 GHz
8
7
100
10
1
0
1
2
3
4
5
6
Collector Current, IC (mA)
Associated
Gain,
G
A
(dB)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5651 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5656-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5656 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5658T2LQ | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC1740STPS | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC565400L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5654G0L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5658 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:150 MA, 50 V, NPN, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, VMT3, 3 PIN |
| 2SC5658GT2LR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTER 2SC5658GT2LR |
| 2SC5658M3T5G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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