參數(shù)資料
型號： 2SC5604-T3FB
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MINIMOLD PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 12/23頁
文件大小： 99K
代理商： 2SC5604-T3FB
Data Sheet PU10046EJ02V0DS
2
2SC5604
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
–
200
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 1 V, IC = 0 mA
–
200
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 1 V, IC = 5 mA
60
90
120
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
12.0
13.5
–
GHz
Insertion Power Gain
S21e2 VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
8.5
10.0
–
dB
Noise Figure
NF
VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
–1.3
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 0.5 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
–
0.25
0.5
pF
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded
hFE CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
E5
hFE Value
60 to 120
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC5606-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1
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