參數(shù)資料
型號： 2SC5599-T1
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 20/24頁
文件大小： 101K
代理商： 2SC5599-T1
Data Sheet P15145EJ1V0DS00
5
2SC5599
VCE = 1 V
IC = 5 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
VCE = 1 V
IC = 15 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
VCE = 2 V
IC = 5 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
VCE = 2 V
IC = 15 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
VCE = 3 V
IC = 5 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
35
20
25
30
5
10
15
0
0.1
1
10
VCE = 3 V
IC = 15 mA
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SC5606-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:12.5dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:- 標準包裝:1
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2SC5606-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1
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