參數(shù)資料
型號： 2SC5551A
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PCP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： 2SC5551A
2SC5551A
No. A1118-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=5V, IC=50mA
90
270
hFE2VCE=5V, IC=300mA
20
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=5V, IC=50mA
3.5
GHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
2.9
4.0
pF
Reverse Transfer Capacitance
Cre
VCB=10V, f=1MHz
1.5
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=50mA, IB=5mA
0.07
0.3
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=50mA, IB=5mA
0.8
1.2
V
*
: The 2SC5551A is classified by 50mA hFE as follows :
Marking
EB E
EB F
Rank
E
F
hFE
90 to 180
135 to 270
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7007B-004
hFE -- IC
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
IC -- VCE
0
20
IT01066
IT01067
500μA
450μA
400μA
350
μA
300μA
250μA
200
μA
150
μA
100
μA
50
μA
40
60
80
100
4
12
8
16
20
1.0
10
2
3
5
7 10
2
3
5
7 100
2
3
5
7 1000
2
3
5
7
100
2
3
5
7
1000
VCE=5V
IB=0μA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5554 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SC5551AE-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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