參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5563
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.02 A, 1500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-10R1A, SC-67, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： 2SC5563
2SC5563
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC5563
Dynamic Focus Applications
High voltage: VCEO = 1500 V
Small collector output capacitance: Cob = 2.0 pF (typ.) (VCB = 100 V)
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
1500
V
Collector-emitter voltage
VCEO
1500
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
20
Collector current
Pulse
ICP
40
mA
Base current
IB
10
mA
Tc = 25°C
10
Collector power
dissipation
Ta = 25°C
PC
2
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 1500 V, IE = 0
―
1
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
―
10
A
Collector-base breakdown voltage
V (BR) CBO
IC = 0.1 mA, IE = 0
1500
―
V
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 1 mA, IB = 0
1500
―
V
DC current gain
hFE
VCE = 5 V, IC = 1 mA
10
―
60
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 10 mA, IB = 2 mA
―
5.0
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 10 mA, IB = 2 mA
―
1.3
V
Collector output capacitance
Cob
VCB = 100 V, f = 1 MHz, IE = 0
―
2.0
―
pF
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
C5563
Part No. (or abbreviation code)
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PDF描述
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