參數資料
型號： 2SC5508-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
中文描述： NPN硅射頻晶體管，低噪聲，高增益的功放平引腳4引腳薄型超微型模具
文件頁數： 4/16頁
文件大小： 106K
代理商： 2SC5508-T2
Preliminary Data Sheet P13865EJ1V0DS00
4
2SC5508
Gain Characteristics
Collector Current I
C
(mA)
Collector Current I
C
(mA)
Insertion Power Gain, Maximum Available Power Gain,
Maximum Stable Power Gain vs. Frequency
Insertion Power Gain, Maximum Available Power Gain,
Maximum Stable Power Gain vs. Collector Current
30
f = 1 GHz
V
CE
= 2 V
Insertion Power Gain, Maximum Available Power Gain,
Maximum Stable Power Gain vs. Collector Current
40
35
30
25
20
15
10
5
0
25
20
15
10
5
0
30
25
20
15
10
5
0
Frequency f (GHz)
I
2
|
2
M
M
I
2
|
2
M
M
I
2
|
2
M
M
0.1
1.0
10.0
1
10
100
1
10
100
MAG
MSG
|S
21e
|
2
V
CE
= 2 V
I
C
= 20 mA
MSG
|S
21e
|
2
MAG
MSG
|S
21e
|
2
MAG
f = 2 GHz
V
CE
= 2 V
Output Characteristics
Input Power P
in
(dBm)
Output Power, Collector Current vs. Input Power
20
15
10
5
0
–5
125
100
75
50
25
0
125
100
75
50
25
0
O
o
C
C
C
C
–20
–15
–10
–5
0
5
Input Power P
in
(dBm)
Output Power, Collector Current vs. Input Power
20
15
10
5
0
–5
O
o
–20
–15
–10
–5
0
5
P
out
P
out
I
C
I
C
f = 1 GHz
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
V
CE
= 2 V
相關PDF資料
PDF描述
2SC5509 NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5509-T2 NPN SILICON RF TRANSISTOR
2SC5511 High-Voltage Switching Transistor(高電壓開關晶體管)
2SC5525 High-speed Switching Transistor(高速開關晶體管)
2SC5526 High-speed Switching Transistor(高速開關晶體管)
相關代理商/技術參數
參數描述
2SC5508-T2-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,3.3V,35mA,S-MiniMold4 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
2SC5508-T2-A(FB) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN
2SC5509-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:- 標準包裝:1
2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:1
2SC5509-T2-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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