型號: | 2SC5454 |
廠商: | NEC Corp. |
英文描述: | NPN Epitaxial Transisitor(NPN外延晶體管) |
中文描述: | npn型外延Transisitor(npn型外延晶體管) |
文件頁數(shù): | 8/12頁 |
文件大?。?/td> | 79K |
代理商: | 2SC5454 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SC5455(NE67839) | Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay |
2SC5455 | NPN Epitaxial Transisitor(NPN外延晶體管) |
2SC5461 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
2SC5462 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
2SC5469 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SC5454-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):6V 頻率 - 躍遷:14.5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 20mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 |
2SC5454-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):6V 頻率 - 躍遷:14.5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 20mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143 標準包裝:3,000 |
2SC5455-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.5dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 30mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 |
2SC5455-FB(T1) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SC5455-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.5dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 30mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143 標準包裝:3,000 |