參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5454
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN Epitaxial Transisitor(NPN外延晶體管)
中文描述： npn型外延Transisitor（npn型外延晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： 2SC5454
1998
PRELIMINARY DATA SHEET
FEATURE
High gain, low noise
Small reverse transfer capacitance
Can operate at low voltage
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector to Base Voltage
V
CBO
9
V
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
6
V
Emitter to Base Voltage
V
EBO
2
V
Collector Current
I
C
50
mA
Total Power Dissipation
P
T
200
mW
Junction Temperature
T
j
150
°
C
Storage Temperature
T
stg
–65 to +150
°
C
SILICON TRANSISTOR
2SC5454
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
4-PIN MINI MOLD
Document No. P13080EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published February 1998 N CP(K)
Printed in Japan
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
I
CBO
V
CB
= 5 V, I
E
= 0
0.1
μ
A
Emitter Cut-off Current
I
EBO
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
0.1
μ
A
DC Current Gain
h
FE
V
CE
= 3 V, I
C
= 20 mA
Note 1
75
150
Gain Bandwidth Product
f
T
V
CE
= 3 V, I
C
= 20 mA, f = 2 GHz
14.5
GHz
Reverse Transfer Capacitance
C
re
V
CB
= 3 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Note 2
0.3
0.5
pF
Insertion Power Gain
|S
21e
|
2
V
CE
= 3 V, I
C
= 20 mA, f = 2 GHz
10
12.0
dB
Noise Figure
NF
V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
1.5
2.5
dB
Notes 1.
Pulse measurement P
W
≤
350
μ
s, duty cycle
≤
2 %
2.
Collector to base capacitance measured by capacitance meter (automatic balance bridge method) when
emitter pin is connected to the guard pin.
Because this product uses high-frequency process, avoid excessive input of static electricity, etc.
The information in this document is subject to change without notice.
PACKAGE DIMENSIONS (in mm)
5°
5°
5°
5°
0
0
2
(
(
0
0
1
+
–
0
+
–
0
4
1
3
2
+
–
2.8
1.5
+0.2
–0.3
+0.2
0
+
–
0
+
–
0
+
–
PIN CONNECTIONS
1: Collector
2: Emitter
3: Base
4: Emitter
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5455(NE67839) Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
2SC5455 NPN Epitaxial Transisitor(NPN外延晶體管)
2SC5461 Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
2SC5462 Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
2SC5469 Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5454-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:14.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5454-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:14.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
2SC5455-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC5455-FB(T1) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC5455-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*