參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5448
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
中文描述: 硅npn型三重?cái)U(kuò)散(三倍擴(kuò)散npn型晶體管)
文件頁(yè)數(shù): 2/7頁(yè)
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代理商: 2SC5448
2SC5448
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
i
c(peak)
P
C
Tj
1500
V
Collector to emitter voltage
700
V
Emitter to base voltage
6
V
Collector current
10
A
Collector peak current
20
A
Collector power dissipation
Note1
50
W
Junction temperature
150
°C
Storage temperature
Note:
1. Value at Tc = 25°C
Tstg
–55 to +150
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
I
C
= 10mA, R
BE
=
Collector to emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
700
V
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
6
V
I
E
= 10mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CES
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
500
μ
A
V
CE
= 1500V, R
BE
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 1A
V
CE
= 5 V, I
C
= 6A
I
C
= 6A, I
B
= 1.6A
DC current transfer ratio
10
30
DC current transfer ratio
3.5
6.5
Collector to emitter saturation
voltage
5
V
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
1.5
V
I
C
= 6A, I
B
= 1.6A
Fall time
t
f
0.2
0.4
μ
s
I
CP
= 5A, I
= 1.6A
f
H
= 31.5kHz
I
CP
= 5A, I
B1
= 1.3A
f
H
= 64kHz
Fall time
t
f
0.15
μ
s
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PDF描述
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2SC5454-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):6V 頻率 - 躍遷:14.5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.5dB @ 2GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 20mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
2SC5455-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.5dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 30mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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