參數(shù)資料
型號： 2SC5409
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
中文描述： npn型外延硅晶體管的微波高增益放大
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 39K
代理商： 2SC5409
2SC5409
3
20
10
0
4
3
2
1
0
0.3
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.2
0.1
0
40
30
20
10
0
0.1
1
10
100
1
10
100
1
10
0.5
1.0
2.0
2.6
100
1
10
100
I
C
- Collector Current - mA
I
C
- Collector Current - mA
V
CB
- Collector to Base Voltage - V
I
C
- Collector Current - mA
|S
21e
|
2
vs. I
C
characteristics
f
T
vs. I
C
characteristics
NF vs. I
C
characteristics
C
re
vs. V
CB
N
C
r
|
2
|
2
|
2
|
2
|S
21e
|
2
vs. f characteristics
f - Frequency - GHz
f
T
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
f = 1 MHz
V
CE
= 2 V
I
C
= 20 mA
I
C
= 3 mA
0.4
0.5
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PDF描述
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參數(shù)描述
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