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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC5288 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER |
| 中文描述： | NPN硅外延晶體管L波段低功率放大器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/12頁(yè) |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SC5288 |
2SC5288
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
V
CE
= 3.6 V
500
400
300
200
100
0
0.5
1.0
1.5
V
BE
- Base to Emitter Voltage - V
I
C
COLLECTOR CURRENT vs. BASE TO EMITTER VOLTAGE
500
400
300
200
100
0
1
V
CE
- Collector to Emitter Voltage - V
I
C
COLLECTOR CURRENT vs. COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
2
3
4
I
B
=
5.5 mA
5.0 mA
4.0 mA
3.0 mA
2.0 mA
1.0 mA
500 A
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PDF描述 |
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