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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5012 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | High Frequency Low Noise Amplifier NPN Silicon Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管) |
| 中文描述： | 高頻低噪聲放大器NPN硅晶體管（高頻低噪聲放大器npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | 2SC5012 |
2SC5012
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITION
Collector Cutoff Current
I
CBO
1.0
μ
A
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
Emitter Cutoff Current
I
EBO
1.0
μ
A
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
DC Current Gain
h
FE
50
100
250
V
CE
= 8 V, I
C
= 20 mA
*
1
Gain Bandwidth Product
f
T
9.0
GHz
V
CE
= 8 V, I
C
= 20 mA
Feed-back Capacitance
C
re
0.25
0.8
pF
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
*
2
Insertion Power Gain
|S
21e
|
2
13
15
dB
V
CE
= 8 V, I
C
= 20 mA,f = 1.0 GHz
Noise Figure
NF
1.2
2.5
dB
V
CE
= 8 V, I
C
= 7 mA,f = 1.0 GHz
*1
Pulse Measurement; PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2 % Pulsed.
*2
Measured with 3 terminals bridge, Emitter and Case should be grounded.
h
FE
Classification
Rank
EB
FB
GB
Marking
R36
R37
R38
h
FE
50 to 100
80 to 160
125 to 250
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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