參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4955-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
中文描述： 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管微型模具
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： 2SC4955-T2
1993
DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC4955
Document No. P10377EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TD-2406)
Date Published July 1995 P
Printed in Japan
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
MINI MOLD
FEATURES
Low Noise, High Gain
Low Voltage Operation
Low Feedback Capacitance
Cre = 0.4 pF TYP.
ORDERING INFORMATION
PART
NUMBER
QUANTITY
PACKING STYLE
2SC4955-T1
3 Kpcs/Reel.
Embossed tape 8 mm wide.
Pin3 (Collector) face to perforation
side of the tape.
2SC4955-T2
3 Kpcs/Reel.
Embossed tape 8 mm wide.
Pin1 (Emitter), Pin2 (Base) face to
perforation side of the tape.
*
Please contact with responsible NEC person, if you evaluation
sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs.
(Part No.: 2SC4955)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
stg
9
6
2
V
V
V
30
180
150
mA
mW
C
C
–64 to +150
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters
2
0
0
0
+
1.5
0
+
2.8±0.2
0.65
+0.1
3
2
1
0
+
0
1
0
Marking
PIN CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4955-T1 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
2SC4955 High Frequency Low Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
2SC4956 High Frequency Low Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
2SC4957 High Frequency Low Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
2SC4958 High Frequency Low Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
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參數(shù)描述
2SC4957-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 6V 0.03A 4-Pin Mini-Mold
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2SC4957-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:11dB 功率 - 最大值:180mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 10mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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