參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4958
廠商： NEC Corp.
英文描述： High Frequency Low Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
中文描述： 高頻低噪聲放大器NPN晶體管（高頻低噪聲放大器npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 40K
代理商： 2SC4958
PART
NUMBER
Embossed tape 8 mm wide.
Pin3 (Collector) face to perfora-
tion side of the tape.
2SC4958–T1
3 Kpcs/Reel.
Embossed tape 8 mm wide.
Pin1 (Emitter), Pin2 (Base) face
to perforation side of the tape.
2SC4958–T2
3 Kpcs/Reel.
1995
DATA SHEET
The mark
#
shows revised points.
SILICON TRANSISTOR
2SC4958
Caution;
Electrostatic sensitive Device.
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
SUPER MINI MOLD
Document No. P10380EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TD–2409)
Date Published July 1995 P
Printed in Japan
FEATURES
Low Noise, High Gain
Low Voltage Operation
Low Feedback Capacitance
C
re
= 0.3 pF TYP.
ORDERING INFORMATION
QUANTITY
PACKING STYLE
* Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation sample.
Unit sample quantity shall be 50 pcs. (Part No.: 2SC4958)
1.25
±
0.1
2.1
±
0.1
2
±
0
–
+
0
0
–
+
2
1
3
0
±
0
0
–
+
0
Marking
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters
PIN CONNECTIONS
1.
2.
3.
Emitter
Base
Collector
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
Collector to Base Voltage
V
CBO
9
V
Collector to Emitter Voltage
V
CEO
6
V
Emitter to Base Voltage
V
EBO
2
V
Collector Current
I
C
10
mA
Total Power Dissipation
P
T
60
mW
Junction Temperature
T
j
150
°
C
Storage Temperature
T
stg
–65 to +150
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4959-T2 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
2SC4959-T1 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
2SC4959 High Frequency Low Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
2SC4962 Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
2SC4963 Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
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參數(shù)描述
2SC4959-T1 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:
2SC4960 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 1A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC4978-7061 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4978-7071 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4978-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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