參數(shù)資料
型號(hào): 2SC4958
廠商: NEC Corp.
英文描述: High Frequency Low Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
中文描述: 高頻低噪聲放大器NPN晶體管(高頻低噪聲放大器npn型晶體管)
文件頁(yè)數(shù): 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 40K
代理商: 2SC4958
2SC4958
3
40
200
0.1
14
0.5
30
20
10
0
2
4
6
500 A
400 A
300 A
200 A
I
B
= 100 A
100
0
0.5 1
5 10
50100
5 V
V
CE
= 3 V
12
10
8
6
4
2
1
2
5
10
20
5 V
3 V
V
CE
= 1 V
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
V
CE
– Collector to Emitter Voltage – V
I
C
– Collector Current – mA
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs.COLLECTOR CURRENT
I
C
– Collector Current – mA
f = 2 GHz
I
C
– Collector Current – mA
10
0.5
8
6
4
2
1
5
10
50
5 V
3 V
V
CE
= 1 V
f = 2 GHz
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
I
C
h
F
f
T
S
2
2
f = 2 GHz
V
CE
= 3 V
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
N
I
C
– Collector Current – mA
V
CB
– Collector to Base Voltage – V
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
C
r
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.5
20
1
2
5
10
5
4
3
2
1
0
0.5
20
1
2
5
10
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4959-T2 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
2SC4959-T1 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
2SC4959 High Frequency Low Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
2SC4962 Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
2SC4963 Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC4959-T1 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:
2SC4960 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 1A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC4978-7061 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4978-7071 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4978-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2