參數(shù)資料
型號： 2SC4955-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
中文描述： 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管微型模具
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： 2SC4955-T1
1993
DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC4955
Document No. P10377EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TD-2406)
Date Published July 1995 P
Printed in Japan
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
MINI MOLD
FEATURES
Low Noise, High Gain
Low Voltage Operation
Low Feedback Capacitance
Cre = 0.4 pF TYP.
ORDERING INFORMATION
PART
NUMBER
QUANTITY
PACKING STYLE
2SC4955-T1
3 Kpcs/Reel.
Embossed tape 8 mm wide.
Pin3 (Collector) face to perforation
side of the tape.
2SC4955-T2
3 Kpcs/Reel.
Embossed tape 8 mm wide.
Pin1 (Emitter), Pin2 (Base) face to
perforation side of the tape.
*
Please contact with responsible NEC person, if you evaluation
sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs.
(Part No.: 2SC4955)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
stg
9
6
2
V
V
V
30
180
150
mA
mW
C
C
–64 to +150
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters
2
0
0
0
+
1.5
0
+
2.8±0.2
0.65
+0.1
3
2
1
0
+
0
1
0
Marking
PIN CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
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PDF描述
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