參數(shù)資料
型號(hào): 2SC4955-T1
廠商: NEC Corp.
英文描述: HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
中文描述: 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管微型模具
文件頁(yè)數(shù): 3/6頁(yè)
文件大小: 44K
代理商: 2SC4955-T1
2SC4955
3
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
60
0
1
500 A
400 A
300 A
200 A
I
B
= 100 A
50
40
30
20
10
2
3
4
5
6
0.1
200
100
0
0.2
0.5 1
2
5
10 20
50 100
5 V
V
CE
= 3 V
I
C
V
CE
- Collector to Emitter Voltage - V
I
C
- Collector Current - mA
h
F
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
1
12
14
0.5
12
10
8
6
4
2
1
2
5
10
20
50
5 V
3 V
V
CE
= 1 V
10
8
6
4
2
5
10
20
50
I
C
- Collector Current - mA
I
C
- Collector Current - mA
f
T
f = 2 GH
Z
|
2
|
2
5 V
3 V
f = 2 GH
Z
V
CE
= 1 V
0.1
0.5
4
0.5
3
2
1
0
1
2
5
10
20
50
0.2
0.3
0.4
0.5
1
2
5
10
20
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
f = 2 GH
Z
V
CE
= 3 V
N
I
C
- Collector Current - mA
C
r
V
CB
- Collector to Base Voltage - V
f = 1 MH
Z
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PDF描述
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