參數(shù)資料
型號： 2SC4954
廠商： NEC Corp.
英文描述： High Frequency Low Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
中文描述： 高頻低噪聲放大器NPN晶體管（高頻低噪聲放大器npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： 2SC4954
3
2SC4954
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
V
CE
– Collector to Emitter Voltage – V
I
C
40
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
I
C
– Collector Current – mA
h
F
200
0.1
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
I
C
– Collector Current – mA
f
T
14
0.5
INSERTION POWER GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
I
C
– Collector Current – mA
|
2
|
2
10
0.5
30
20
10
0
2
4
6
500 A
400 A
300 A
200 A
100
0
0.5 1
5
10
50 100
5 V
V
CE
= 3 V
12
10
8
6
4
2
1
2
5
10
20
5 V
3 V
V
CE
= 1 V
8
6
4
2
1
5
10
50
5 V
3 V
V
CE
= 1 V
f = 2 GHz
f = 2 GHz
100 A
I
B
=
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
I
C
– Collector Current – mA
N
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
V
CB
– Collector to Base Voltage – V
C
r
0.5
5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.5
20
1
2
5
10
4
3
2
1
0
0.5
20
1
2
5
10
f = 2 GHz
V
CE
= 3 V
f = 1 MHz
相關PDF資料
PDF描述
2SC4955-T2 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
2SC4955-T1 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
2SC4955 High Frequency Low Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
2SC4956 High Frequency Low Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
2SC4957 High Frequency Low Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC4957-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 6V 0.03A 4-Pin Mini-Mold
2SC4957-T1 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:
2SC4957-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:11dB 功率 - 最大值:180mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 10mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143 標準包裝:3,000
2SC4959-T1 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:
2SC4960 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 1A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*