參數(shù)資料
型號： 2SC4814
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
中文描述： NPN硅外延的高晶體管高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 161K
代理商： 2SC4814
Data Sheet D15604EJ2V0DS
2
2SC4814
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
= 120 V, I
E
= 0
50
μ
A
Emitter cutoff current
I
EBO
V
EB
= 5 V, I
C
= 0
50
μ
A
DC current gain
h
FE1
*
V
CE
= 2 V, I
C
= 1.0 A
300
700
1,200
DC current gain
h
FE2
*
V
CE
= 2 V, I
C
= 1.5 A
250
600
Collector saturation voltage
V
CE(sat)
*
I
C
= 1.5 A, I
B
= 10 mA
0.3
V
Base saturation voltage
V
BE(sat)
*
I
C
= 1.5 A, I
B
= 10 mA
1.3
V
Gain bandwidth product
f
T
V
CE
= 10 V, I
C
= 1.0 A
60
MHz
Collector capacitance
C
ob
V
CE
= 10 V, I
E
= 0 , f = 1 MHz
40
pF
Turn-on time
t
on
0.5
μ
s
Storage time
t
stg
2.0
μ
s
Fall time
t
f
I
C
= 1.5 A, I
B1
=
I
B2
= 10 mA
R
L
= 8.0
, V
CC
= 12 V
Refer to the test circuit.
0.5
μ
s
* Pulse test PW
≤
350
μ
s, duty cycle
≤
2%
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
TAPING SPECIFICATION
Electrode Connection
1. Base
2. Collector
3. Emitter
EQUIVALENT CIRCUIT
0.7 MAX.
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PDF描述
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