參數(shù)資料
型號： 2SC4811
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING
中文描述： NPN硅外延晶體管（達(dá)林頓連接筆記本高）高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： 2SC4811
Data Sheet D15602EJ2V0DS
2
2SC4811
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
= 100 V, I
E
= 0
1.0
μ
A
Emitter cutoff current
I
EBO
V
EB
= 5 V, I
C
= 0
5.0
mA
DC current gain
h
FE1
*
V
CE
= 2.0 V, I
C
= 4.0 A
2,000
20,000
DC current gain
h
FE2
*
V
CE
= 2.0 V, I
C
= 8.0 A
500
Collector saturation voltage
V
CE(sat)
*
I
C
= 4.0 A, I
B
= 4.0 mA
1.5
V
Base saturation voltage
V
BE(sat)
*
I
C
= 4.0 A, I
B
= 4.0 mA
2.0
V
Turn-on time
t
on
0.5
μ
s
Storage time
t
stg
2.5
μ
s
Fall time
t
f
I
C
= 4.0 A, I
B1
=
I
B2
= 4.0 mA
R
L
= 12.5
, V
CC
50 V
Refer to the test circuit.
0.6
μ
s
Collector capacitance
C
ob
V
CB
= 10 V, I
E
= 0 , f = 1 MHz
45
pF
* Pulse test PW
≤
350
μ
s, duty cycle
≤
2%
h
FE
CLASSIFICATION
Marking
M
L
K
h
FE1
2,000 to 5,000
4,000 to 10,000
8,000 to 20,000
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
TAPING SPECIFICATION
Electrode Connection
1. Base
2. Collector
3. Emitter
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PDF描述
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