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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC3603 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION |
| 中文描述： | npn型外延硅晶體管低噪聲放大用于微波 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | 2SC3603 |
7
2SC3603
[MEMO]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3604 | NPN Silicon Epitaxial Dual Transistor For Microwave Low Noise Amplifier(應(yīng)用于微波低噪聲放大器的NPN硅外延晶體管) |
| 2SC3615 | MINIATURE PC BOARD RELAY |
| 2SC3615K | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-92 |
| 2SC3615L | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC3615M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC3605 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANS. TO-9220V .08A .6W BEC |
| 2SC3608 | 制造商:TOS 功能描述:2SC3608 TOSHIBA'95 |
| 2SC3611 | 功能描述:TRANS NPN HF 50VCEO .15A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC3615 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-9250V .3A .75W ECB |
| 2SC3615-K(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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