參數(shù)資料
型號： 2SC3603
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION
中文描述： npn型外延硅晶體管低噪聲放大用于微波
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： 2SC3603
3
2SC3603
S PARAMETER
V
CE
= 10 V, I
C
= 20 mA, Z
O
= 50
f (MHz)
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
|S
11
|
.629
.631
.628
.646
.659
.677
.695
.713
∠
S
11
-
160.8
175.8
162.5
152.2
142.1
132.0
123.8
116.5
|S
21
|
10.100
5.411
3.565
2.720
2.161
1.916
1.585
1.392
∠
S
21
92.6
75.1
60.6
48.4
38.8
25.7
14.3
5.3
|S
12
|
.040
.048
.070
.086
.105
.127
.151
.168
∠
S
12
41.5
51.4
59.2
56.0
52.2
45.1
39.7
34.8
|S
22
|
.256
.244
.232
.22
0
.213
.217
.232
.254
∠
S
22
-
49.0
-
57.2
-
66.8
-
77.4
-
89.1
-
103.1
-
119.5
-
134.0
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1
2
5
IC - Collector Current - mA
10
20
50
2
|
2
V
CE
= 10 V
f = 0.5 GHz
f = 1 GHz
f = 2 GHz
NOISE FIGURE vs. COLLECTOR CURRENT
6
5
4
3
2
1
2
5
10
20
50
IC - Collector Current - mA
N
V
CE
=10 V
f = 2 GHz
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
30
20
10
7
5
3
2
1
2
3
5
7
10
20
30
IC - Collector Current - mA
T
V
CE
= 10 V
相關PDF資料
PDF描述
2SC3604 NPN Silicon Epitaxial Dual Transistor For Microwave Low Noise Amplifier(應用于微波低噪聲放大器的NPN硅外延晶體管)
2SC3615 MINIATURE PC BOARD RELAY
2SC3615K TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-92
2SC3615L SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC3615M TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-92
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2SC3611 功能描述:TRANS NPN HF 50VCEO .15A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC3615 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-9250V .3A .75W ECB
2SC3615-K(AZ) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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