參數(shù)資料
型號(hào): 2SC3603
廠商: NEC Corp.
英文描述: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION
中文描述: npn型外延硅晶體管低噪聲放大用于微波
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 89K
代理商: 2SC3603
4
2SC3603
S PARAMETER
90
100
110
120
130
10
10
-
1
-
1
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1
0
-
1
0
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1
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1
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1
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9
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8
0
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7
0
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6
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5
0
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4
0
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3
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2
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1
0
0
0
0
0
0
0
02
08
02
02
02
03
019
031
018
032
50
017
033
0.16
0.34
0.15
0.35
0.14
0.36
80
0.13
0.37
0.12
0.35
0.11
0.39
0.10
0.40
0.09
0.41
008
042
007
043
006
M
E
G
A
T
I
V
E
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A
C
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A
N
C
E
C
O
M
P
O
N
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N
T
044
00
04
00
04
03
07
A
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L
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E
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F
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C
I
E
N
T
N
E
G
R
E
E
S
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
2
3
4
60
70
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0.1
06
0
0
0
1
1
1
1
1
2
3
4
5
1
2
5
50
20
10
50
40
30
20
18
1
1
0.2
0.4
0.6
0.8
10
1
0
0
0
0
0.2
0.4
06
08
10
1
0
0
0
0
RESTSTANCE COMPONENT
R
Z
O
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
O
W
A
R
D
O
A
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W
A
V
E
L
E
N
G
T
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S
O
W
R
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E
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A
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O
R
M
E
G
A
T
I
V
E
E
A
C
T
A
N
C
E
O
M
P
O
N
E
N
T
0.2
03
04
05
+X
Z
O
-
J
Z
O
4 GHz
4 GHz
0.5 GHz
0.5 GHz
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
2
3
4
5
1
2
5
1
S
11e
S
22e
S
11e
, S
22e
FREQUENCY
V
CE
= 10 V
I
C
= 20 mA
500 MHz Step
S
21
FREQUENCY
90
°
150
°
60
°
30
°
0
°
10
180
°
150
°
120
°
90
°
60
°
30
°
V
CC
= 10 V
I
C
= 20 mA
500 MHz Step
S
12
FREQUENCY
90
°
120
°
120
°
150
°
60
°
30
°
0
°
180
°
150
°
120
°
90
°
60
°
30
°
V
CE
= 10 V
I
C
= 20 mA
500 MHz Step
5
0.1
0.2
0.05
0.15
4 GHz
0.5 GHz
0.5 GHz
4 GHz
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PDF描述
2SC3604 NPN Silicon Epitaxial Dual Transistor For Microwave Low Noise Amplifier(應(yīng)用于微波低噪聲放大器的NPN硅外延晶體管)
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參數(shù)描述
2SC3605 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANS. TO-9220V .08A .6W BEC
2SC3608 制造商:TOS 功能描述:2SC3608 TOSHIBA'95
2SC3611 功能描述:TRANS NPN HF 50VCEO .15A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC3615 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-9250V .3A .75W ECB
2SC3615-K(AZ) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: