參數(shù)資料
型號： 2SC3322
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Tirple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
中文描述： 硅npn型Tirple漫射（三倍擴(kuò)散npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 4/7頁
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代理商： 2SC3322
2SC3322
4
0
2
4
6
8
10
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
0
200
400
600
800
1,000
Reverse Bias Area of Safe Operation
850 V, 1.5 A
800 V, 4 A
600 V, 10 A
I
B2
= –0.8 A
700
800
900
1.000
Base to emitter resistance R
BE
(
)
C
(
100
1 k
10 k
100 k
1 M
Collector to Emitter Voltage
vs. Base to Emitter Resistance
I
C
= 1 mA
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
0
Typical Output Characteristics
1
2
3
4
5
1
2
3
4
5
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
0.05 A
0.1 A
0.2 A
0.4 A
0.6 A
0.8 A
1.0 A
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
0
Typical Transfer Characteristics
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
2
3
4
5
T
C
= 25
°
C
V
CE
= 5 V
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PDF描述
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