參數(shù)資料
型號： 2SC3322
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Tirple Diffused(三倍擴散NPN晶體管)
中文描述： 硅npn型Tirple漫射（三倍擴散npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： 2SC3322
2SC3322
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
I
= 0.2 A, R
BE
=
∞
, L = 100
mH
Collector to emitter sustain
voltage
V
CEO(sus)
800
—
—
V
V
CEX(sus)
800
—
—
V
I
= 4 A, I
= 1.5 A, I
= –0.8
A, V
= –5.0 V, L = 180 μH,
Clamped
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7
—
—
V
I
E
= 10 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
—
—
100
μA
V
CB
= 750 V, I
E
= 0
V
CE
= 650 V, R
BE
=
∞
V
CE
= 5 V, I
C
= 0.5 A*
V
CE
= 5 V, I
C
= 3 A*
I
C
= 1.5 A, I
B
= 0.3 A*
—
—
100
μA
DC current transfer ratio
15
—
—
1
7
—
—
1
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
1.0
V
1
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
—
1.5
V
Turn on time
t
on
—
—
1.0
μs
I
C
= 3 A, I
= 0.6 A,
I
B2
= –1.5 A, V
CC
250 V
Storage time
t
stg
t
f
—
—
3.0
μs
Fall time
Note:
—
—
1.0
μs
1. Pulse test
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