參數(shù)資料
型號: 2SC2497A
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Silicon NPN epitaxial planar type(For low-frequency power amplification)
中文描述: 1.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝: ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 248K
代理商: 2SC2497A
2SC2497, 2SC2497A
2
SJD00099BED
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IE
Cob VCB
VCER RBE
ICBO Ta
0
6
5
4
3
2
1
0
40
80
120
160
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(2)Without heat sink
(1)
(2)
0
1.0
3.0
2.0
4.0
3.5
2.5
1.5
0.5
012
210
48
6
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
TC=25C
45mA
40mA
30mA
35mA
20mA
25mA
10mA
5mA
15mA
IB=50mA
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=10
–25C
25C
TC=100C
0.01
1
0.1
1
10
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=10
TC=–25C
25C
100C
0.01
1
0.1
1
10
100
1 000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=5V
TC=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
0
240
200
160
120
80
40
Transition
frequency
f
T
(MHz)
Emitter current I
E (A)
VCB=5V
f=200MHz
TC=25C
0
1
240
200
160
120
80
40
10
100
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
IE=0
f=1MHz
TC=25C
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
Base-emitter resistance R
BE (k)
Collector-emitter
voltage
(Resistor
between
B
and
E)
V
CER
(V)
IC=10mA
TC=25C
1
10
102
103
104
0
40
80
120
160
I CBO
(T
a
)
I CBO
(T
a
=
25
°C
)
Ambient temperature T
a (°C)
VCB=40V
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC2671 Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF band low-noise amplification)
2SC2717 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC2983(2-7J1A) 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC2983-Y(2-7B1A) 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC2983-O(2-7B1A) 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SC2497AQ 功能描述:TRANS NPN HF 60VCEO 1.5A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC2497AR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
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