參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB852KB
英文描述： TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 32V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SC-59
中文描述： 晶體管|晶體管|達(dá)林頓|進(jìn)步黨| 32V的五（巴西）總裁| 300mA的一（c）|律師- 59
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 29K
代理商： 2SB852KB
2SB857, 2SB858
Silicon PNP Triple Diffused
ADE-208-859 (Z)
1st. Edition
Sep. 2000
Application
Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1133 and 2SD1134
Outline
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
TO-220AB
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Ratings
Item
Symbol
2SB857
2SB858
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
–70
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
–50
–60
V
Emitter to base voltage
V
EBO
–5
V
Collector current
I
C
–4
A
Collector peak current
I
C(peak)
–8
A
Collector power dissipation
P
C*
1
40
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–45 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB856A Dual/Triple-Voltage µP Supervisory Circuits
2SB857C TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
2SB858C Dual/Triple-Voltage µP Supervisory Circuits
2SB858D TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
2SB859B TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB852KT146 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SB852KT146B 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL PNP 32V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB855 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY HITACHI TRANSISTORTO-220AB -50V -2A 20W BCE
2SB856 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY HITACHI TRANSISTOR TO -50V -3A 25W BCE
2SB856A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
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