參數(shù)資料
型號: 2SB817
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 12 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, TO-3PB, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 85K
代理商: 2SB817
2SB817/2SD1047
No.680–4/5
10
100
25
37
57
2
A S O
0.1
1.0
5
7
3
2
10
5
7
3
2
ITR08433
10ms
100ms
1ms
DC
operation
2SB817 / 2SD1047
(For PNP, minus sign is omitted.)
IC=12A
ICP=15A
5
--1.0
--10
5
2
3
5
7
2
3
7
--1.0
--0.1
23
5
7
--10
23
5
7
VBE(sat) -- IC
ITR08431
2SB817
IC / IB=10
5
1.0
10
5
2
3
5
7
2
3
7
1.0
0.1
23
5
7
10
23
5
7
VBE(sat) -- IC
ITR08432
2SD1047
IC / IB=10
PC -- Tc
ITR08434
020
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
2SB817 / 2SD1047
Collector Current, IC —A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Collector Current, IC —A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector
Dissipation,
P
C
—W
Case Temperature, Tc —
°C
VCE(sat) -- IC
ITR08429
5
--0.1
--1.0
5
7
2
3
7
--10
5
7
2
3
2
3
--1.0
--0.1
23
5
7
--10
23
5
7
2SB817
IC / IB=10
VCE(sat) -- IC
ITR08430
5
0.1
1.0
5
7
2
3
7
10
5
7
2
3
2
3
1.0
0.1
23
5
7
10
23
5
7
2SD1047
IC / IB=10
Collector Current, IC —A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC —A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1047 12 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1047E 12 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1047D 12 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB817PE 12 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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