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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB648A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管) |
| 中文描述： | 硅外延進(jìn)步黨（外延進(jìn)步黨晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | 2SB648A |
2SB648, 2SB648A
4
Saturation Voltage vs.
Collector Current
–0.5
–2
–10
–50
–5
75
25
Ta = –25
°
C
25
75
Collector Current I
C
(mA)
–20
–1.0
V
CE(sat)
V
BE(sat)
I
C
= 10 I
B
–1.2
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–0.48
–0.40
–0.32
–0.24
–0.16
–0.08
0
Ta = –25
°
C
B
V
B
C
V
C
Gain Bandwidth Product
vs. Collector Current
500
200
50
100
G
T
20
10
V
CE
= –10 V
–1
–5
–20
–2
–10
–50
Colletor current I
C
(mA)
f = 1 MHz
I
E
= 0
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
50
20
10
5
2
1.0
0.5
–1
–5
–20
–100
–50
–2
–10
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB649 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB649 | TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors |
| 2SB649A | TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors |
| 2SB649A | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB717 | LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER Complementary pair with 2SB757 and 2SB758 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB648AB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
| 2SB648AC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
| 2SB648AD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SB648B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
| 2SB648C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
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