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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB648A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管) |
| 中文描述： | 硅外延進步黨（外延進步黨晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | 2SB648A |
2SB648, 2SB648A
3
Maximum Collector Dissipation
Curve
1.5
1.0
0.5
0
50
100
150
Ambient temperature Ta (
°
C)
C
C
Typical Output Characteristics
–20
–16
–12
–8
–4
0
–3
–6
–4
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
–8
–10
I
B
= 0
–10
μ
A
–20
–30
–40
–50
–60
–70
–90
–110
–130
C
C
Typical Transfer Characteristics
–50
–20
–10
–5.0
–2.0
–1.0
0
–0.4
Base to emitter voltage V
BE
(V)
–0.8
–0.2
–0.6
–1.0
V
CE
= –5 V
T
°
C
2
–
C
C
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
V
CE
= –5 V
Ta = 75
°
C
240
200
160
120
80
40
0
–0.5
–2
–10
–50
–5
Collector Current I
C
(mA)
–20
–1.0
25
–25
D
F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB649 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB649 | TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors |
| 2SB649A | TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors |
| 2SB649A | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB717 | LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER Complementary pair with 2SB757 and 2SB758 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB648AB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
| 2SB648AC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
| 2SB648AD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SB648B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
| 2SB648C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126VAR |
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