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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB562 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial |
| 中文描述： | 硅外延進(jìn)步黨 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | 2SB562 |
2SB562
3
0
0.4
0.8
1.2
50
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
C
Maximum Collector Dissipation Curve
100
150
0
–800
–600
–400
–200
–1,000
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Collector Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
Typical Output Characteristics
–1 mA
P
C
=09W
–2
–3
–4
–5
–6
–7
–8
I
B
= 0
0
–300
–100
–10
–30
–3
–1
–1,000
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
C
C
Typical Transfer Characteristics
Ta = 75
°
C
V
CE
= –2 V
25
°
C
–1
1,000
300
100
30
10
3,000
–3
–10
–30
–100
–300
–1,000
Collector Current I
C
(mA)
D
F
DC Current Transfer Ratio vs.Collector Current
Ta = 75
°
C
V
= –2 V
Pulse
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB566 | Silicon PNP Triple Diffused |
| 2SB566A | Silicon PNP Triple Diffused |
| 2SB566AK | Silicon PNP Triple Diffused |
| 2SB566K | Silicon PNP Triple Diffused |
| 2SB566 | Power Bipolar Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB562B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR |
| 2SB562BTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB562C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR |
| 2SB562CTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB563 | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
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