參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1675
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor(功率晶體管)
中文描述： 功率晶體管（功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 52K
代理商： 2SB1675
2SB1675
Transistors
Power Transistor (
80V,
10A)
2SB1675
!
Features
1) Darlington connection for high DC current gain.
2) Built-in resistor between base and emitter.
3) Built-in damper diode.
!
Absolute maximum retings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
-80
-80
-7
-10
-20
2
30
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
W
W(Tc=25C)
C
C
*
*
Single pulse, P
W
=100ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
External dimensions (
Units : mm)
ROHM : TO-220FN
(3) Emitter(Source)
(2) Collector(Drain)
0.75
0.8
2.54
(3)
(1)
(3)
(2)
(1)
2.54
(2)
5
8
1
1
1
1.3
1.2
10.0
3.2
φ
2.6
4.5
2.8
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
2SB1675
TO-220FN
1k~20k
-
500
Basic ordering unit (pieces)
!
Circuit diagram
B
C
E
: Base
: Collector
: Emitter
B
E
C
R
1
R
2
R
1
5k
R
2
300
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Min.
-80
-80
-
-
-
1000
-
-
Typ.
-
-
-
-
-1
-
12
90
Max.
-
-
-10
-3
-1.5
20000
-
-
Unit
V
V
μ
A
mA
V
-
MHz
pF
Conditions
*1
*2
I
C
=-50
μ
A
I
C
=-5mA
V
CB
=-80V
V
EB
=-5V
I
C
/I
B
=-3A/-6mA
V
CE
/I
C
=-3V/-5A
V
CE
=-5V , I
E
=0.5A , f=10MHz
V
CB
=-10V , I
E
=0A , f=1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
1 Measured using pulse current.
*
2 Transition frequency of the device.
f
T
Cob
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