參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1676
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
中文描述： 中等功率晶體管（中等功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： 2SB1676
2SB1676
Transistors
Medium Power Transistor
(Motor, Relay drive) (
80V,
4A)
2SB1676
!
Features
1) Darlington connection for a high h
FE
.
2) Built-in resistor between base and emitter.
3) Built-in damper diode.
4) Complements the 2SD2618.
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
80
80
7
4
6
2
30
150
55~+150
Unit
V
V
V
A
*
A(Pulse)
W(Ta = 25
°
C)
W(Tc = 25
°
C)
°
C
°
C
*
Single pulse, Pw = 100ms
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : TO-220FN
(3) Emitter(Source)
(2) Collector(Drain)
0.75
0.8
2.54
(3)
(1)
(3)
(2)
(1)
2.54
(2)
5
8
1
1
1
1.3
1.2
10.0
3.2
φ
2.6
4.5
2.8
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
Basic ordering unit (pieces)
2SB1676
TO-220FN
1k~10k
-
500
!
Circuit diagram
R : Base
B
C
E
: Emitter
: Collector
B
E
C
R
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Collector-emitter breakdown voltage
Symbol
BV
CEO
BV
CBO
Min.
80
80
Typ.
-
-
Max.
-
-
Unit
V
V
Conditions
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
7
-
-
-
1000
-
-
-
-
-
-
-
20
22
-
10
10
1.5
10000
-
-
V
μ
A
μ
A
V
-
MHz
pF
*
1
*
1
*
2
I
C
=
50
μ
A
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
80V
V
EB
=
5V
I
C
/I
B
=
2A/
4mA
V
CE
/I
C
=
3V/
2A
V
CE
=
5V , I
E
= 0.5A , f = 10MHz
V
CB
=
10V , I
E
= 0A , f = 1MHz
I
C
=
1mA
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
1 Measured using pulse current.
*
2 Transition frequency of the device.
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