參數(shù)資料
型號： 2SB1695K
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： MS (MIL-C-5015) SERIES 97 3106B SPLIT SHELL STRAIGHT PLUGS, STRAIGHT BODY STYLE, SOLDER TERMINATION, 20 SHELL SIZE, 20-11 INSERT ARRANGEMENT, PLUG GENDER, 13 CONTACTS
中文描述： 低頻放大器
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： 2SB1695K
2SB1695K
Transistors
1/2
Low frequency amplifier
2SB1695K
!
Application
Low frequency amplifier
Driver
!
Features
1) A collector current is large.
2) V
CE(sat)
≤
370mV
At I
C
=
1A / I
B
=
50mA
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
JEDEC : SOT-346
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
Abbreviated symbol : FL
0
0
0
0.3Min.
1
(
(
2.8
1.6
0
(
2
1
0
Each lead has same dimensions
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
30
30
6
1.5
3
200
150
55~
+
150
Unit
V
V
V
A
A
mW
°
C
°
C
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Single pulse, P
W
=
1ms
!
Packaging specifications
2SB1695K
T146
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Pulsed
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Min.
30
30
6
270
Typ.
200
Max.
100
100
370
680
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
f
T
280
13
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
100mA, f
=
100MHz
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
30V
V
EB
=
6V
I
C
=
1A, I
B
=
50mA
V
CE
=
2V, I
C
=
100mA
Cob
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PDF描述
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2SB1697 Low Frequency Amplifier (-12V, -2A)
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參數(shù)描述
2SB1695KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1695TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1697T100 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1698T100 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR PNP; 30V; 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB169900L 功能描述:TRANS PNP 60VCEO 2A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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