參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1644T100E
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SC-83A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： 2SB1644T100E
2SB1644
Transistors
Power Transistor (
80V, 4A)
2SB1644
!Features
1) Low saturation voltage.
(Typ. VCE(sat) =
0.5V at IC / IB = 3A / 0.3A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
!
!Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
80
5
4
30
150
55~+150
Unit
V
A (DC)
6
*
A (Pulse)
W (Tc = 25
°C)
°C
* Single pulse, Pw = 100ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
!External dimensions
(Units : mm)
1.24
0.78
0.5Min.
0.4
1.3
4.5
0to0.3
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
1.3
8.8
( 1
)
( 3
)
2.54
( 2
)
5.08
3.2
13.1
10.1
ROHM : PSD3
EIAJ : SC-83A
!
!Packaging specifications and hFE
Type
2SB1644
PSD3
EF
T100
1000
Package
hFE
Code
Basic ordering unit (pieces)
!
!Electrical characteristics
(Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
80
60
5
100
12
100
10
1.5
320
V
A
V
MHz
pF
IC =
50A
IC =
1mA
IE =
50A
VCB =
80V
VEB =
4V
IC/IB =
3A/0.3A
VBE(sat)
1.5
V
*
IC/IB =
3A/0.3A
VCE/IC =
5V/1A
VCE =
5V , IE = 0.5A , f = 5MHz
VCB =
10V , IE = 0A , f = 1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Base-emitter saturation voltage
* Measured using pulse current.
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PDF描述
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