參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1678Q
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MINIP3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 179K
代理商： 2SB1678Q
Transistors
1
2SB1678
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency amplification
I Features
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
Large Peak collector current I
CP
Mini power type package, allowing downsizing and thinning of the
equipment and automatic insertion through the tape packing
I Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
VCBO
30
V
Collector to emitter voltage
VCEO
20
V
Emitter to base voltage
VEBO
7V
Peak collector current
ICP
5A
Collector current
IC
3A
Collector power dissipation *
PC
1W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB
= 10 V, I
E
= 0
100
nA
Emitter cutoff current
IEBO
VEB
= 5 V, I
C
= 0
100
nA
Collector to emitter voltage
VCEO
IC = 1 mA, IB = 0
20
V
Emitter to base voltage
VEBO
IE
= 10 A, I
C
= 0
7V
Forward current transfer ratio *
1, 2
hFE
VCE
= 2 V, I
C
= 200 mA
90
625
Collector to emitter saturation voltage *
1
VCE(sat)
IC = 3 A, IB = 0.1 A
1V
Collector output capacitance
Cob
VCB
= 20 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
85
pF
Transition frequency
fT
VCB =
6 V, I
E = 50 mA, f = 200 MHz
120
MHz
I Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Marking Symbol: 2K
1: Emitter
2: Collector
3: Base
MiniP3 Type Package
Note) *: Printed circuit board copper foil for collector portion
area: 1.0 Cm2 or more, thickness: 1.7 mm
Absolute maximum rating PC Without heat sink shall be 0.5 W
4.5±0.1
3.0±0.15
45
2.6
±0.1
0.4
max.
1.6±0.2
1.5±0.1
4.0
2.5
±0.1
3
+0.25 –0.20
1.0
+0.1 –0.2
0.5±0.08
0.4±0.04
0.4±0.08
32
1
1.5±0.1
3
Note) *1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Rank
P
Q
R
hFE
90 to 135
120 to 205
180 to 625
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1698T100 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB544-D 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB544-G 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD400-F 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD400 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SB1689T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1690KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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